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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	表面安装	材料	终端数量	晶体管元件材料															Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																																	包装	JESD-609代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	子类别	端子位置	终端形式
IRHNS57160	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	12@12V	150				供应商未确认	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	-55 to 150	75	160(Max)@12V	6440@25V	250000	50(Max)	125(Max)	75(Max)	35(Max)	-55			活跃													Single									N
IRF520A	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	Tab	TO-220	TO-220	通孔					符合免除	EAR99	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	9.2	200@10V	16@10V	16		370@25V	45000	28	14	36	14	-55	175	通孔	9.4(Max)	4.7(Max)	10.1(Max)	Rail		Obsolete									3				Single									N
IRHNJ57230SESCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	未说明		无	IRHNJ57230SESCS	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.32	12 A		供应商未确认	200	12	750000	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD-0.5	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED		e0	活跃	EAR99	锡铅			BOTTOM	无铅	未说明	compliant	3		R-CBCC-N3	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL		0.22 Ω	48 A	200 V	N	60 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
AON3611_101	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	38@10V@P Channel\|50@10V@N Channel					150	-55	4.5@N Channel\|7.5@P Channel	18.5@N Channel\|19@P Channel	1.5@N Channel\|5.5@P Channel	15.5@N Channel\|7@P Channel	2100@N Channel\|2500@P Channel	170@15V@N Channel\|520@15V@P Channel	4.05@N Channel\|9.2@P Channel	4.05@10V\|[email protected]@N Channel\|9.2@10V\|[email protected]@P Channel	5@N Channel\|6@P Channel	±20	30	2	Enhancement	功率MOSFET	EAR99	Compliant																双排双泄									N\|P
JANTXVR2N7431	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	21@12V	120(Max)	120(Max)					100(Max)	250000	4900@25V	270(Max)@12V	35	±20	60	1	Enhancement	功率MOSFET	无	无	8541.29.00.95	出口接触方式	不合规	通孔	TO-254AA	TO-254-AA	Tab	3	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	通孔	Military	150	-55	27(Max)			活跃									3				Single									N
DATA-JANSR2N7524T1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	17@12V			EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	45	160(Max)@12V	8040@25V	208000	35(Max)	150(Max)	100(Max)	35(Max)	-55	供应商未确认	150	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔				活跃									3				Single									P
IRHLYS77034CMS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1						供应商未确认	出口接触方式	60	20	750000	通孔	10.92(Max)	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA			活跃									3													N
MDS1101URH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		Compliant							Unconfirmed
IRHNJ57230SE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	220@12V	SMD-0.5	No Lead	功率MOSFET	无	无	EAR99	不合规	SMD0.5, 3 PIN	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	IRHNJ57230SE	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.18	12 A		Enhancement	1	200	±20	12	28(Max)@12V	1000@25V	75000	30(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD		e0	活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)		FET 通用电源	BOTTOM	无铅	未说明	unknown	3		R-CBCC-N3	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL	12 A	0.22 Ω	48 A	200 V	N	60 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W
IRF5N5210SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	CHIP CARRIER		UNSPECIFIED	IRF5N5210SCS	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.66	31 A		供应商未确认	8542.31.00.01	无	无	100	125000	表面贴装	3.07(Max)	16(Max)	11.55(Max)	3	SMD-1	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3			活跃	EAR99				BOTTOM	无铅		compliant	3		R-XBCC-N3		SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING	P-CHANNEL		0.06 Ω	124 A	100 V	P	340 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
2N6770JANTX PX-SCN	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	500@10V	Military	20	48	1.7					不合规	EAR99	8541.29.00.95	有	有	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20	4	-55 to 150	12	100	25	120(Max)@10V	120(Max)	70(Max)	19(Max)	2	150000	130(Max)	190(Max)	170(Max)	35(Max)	-55	150			活跃													Single									N
2N7237JANTX	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	520@10V	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	11	60(Max)@10V	60(Max)	1200@25V	125000	65(Max)	85(Max)	85(Max)	35(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3			活跃									3				Single									P
DATA-JANSR2N7587U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	42@12V	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead					供应商未确认	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R6	Enhancement	1	100	±20	4	22	100	10	50(Max)@12V	1730@25V	75000	30(Max)	30(Max)	60(Max)	25(Max)	-55	150	Military			活跃									3				Single									N
DATA-2N6849JANTX	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	320@10V	34.8(Max)	23.1(Max)	6.8(Max)	800@25V	125@25V	2	350	25000	140(Max)	140(Max)	140(Max)	60(Max)	-55	150	Military	20	25	4.3	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔					不合规	EAR99	8541.21.00.75	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	4	-55 to 150	6.5	100	25	34.8(Max)@10V			活跃									3				Single									P				9.22(Max)
2N7222JANTX	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	950@10V	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20	8	68.5(Max)@10V	68.5(Max)	1300@25V	125000	51(Max)	73(Max)	72(Max)	21(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3			活跃									3				Single									N
DATA2N6796JANTXV	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	TO-205AF					不合规		无	无	-55	150	通孔	4.54(Max)			Unconfirmed									3																	9.22(Max)
DATA-JANSR2N7616UB	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	CMOS	Enhancement	1	60	±10	0.8	3.6(Max)@4.5V	166@25V	600	13(Max)	24(Max)	30(Max)	8(Max)	-55	125	表面贴装	1.42(Max)	2.74(Max)	3.25(Max)	4	Module	UB型壳体							活跃									4				Single									N
IRHNA57Z60	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	3.5@12V	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	IRHNA57Z60	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.39	75 A		不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	75	200(Max)@12V	9110@25V	250000	50(Max)	125(Max)	80(Max)	35(Max)	-55	150		e0	活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	辐射硬化	FET 通用电源	BOTTOM	无铅	未说明	unknown	3		R-CBCC-N3	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL	75 A	0.0035 Ω	300 A	30 V	N	500 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	300 W
IRHLUB7930Z4	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	[email protected]	150	表面贴装	1.42(Max)	2.74(Max)	3.25(Max)	4	SMD	UB	No Lead	UB-4	小概要	UNSPECIFIED	未说明	150 °C	无	IRHLUB7930Z4	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.4	0.53 A		不合规	出口接触方式	8541.21.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±10	0.53	3.6(Max)@4.5V	167@25V	570	27(Max)	22(Max)	27(Max)	22(Max)	-55		e0	活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)		其他晶体管	DUAL	无铅	未说明	unknown	4	RH - 300K Rad(Si)	R-XDSO-N3	不合格	Single	增强型MOSFET		SWITCHING	P-CHANNEL	0.53 A	1.4 Ω		60 V	P		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	0.6 W
IRHF7110SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	690@12V	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	3.5	11(Max)@12V	290@25V	15000	40(Max)	25(Max)	40(Max)	20(Max)	-55	150	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔					不合规	出口接触方式			活跃									3				Single									N				9.22(Max)
IRHLUC770Z4	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	2	60	±10	0.89	3.6(Max)@4.5V	145@25V	1000	12(Max)	15(Max)	30(Max)	8(Max)	-55	150	表面贴装	2.03(Max)	6.22(Max)	4.32(Max)	6	LCC	LCC							活跃									6				Dual									N
IRHNJ57034	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	30@12V	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	无	IRHNJ57034	Infineon Technologies AG	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.16					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R5	Enhancement	1	60	±20	22	45(Max)@12V	1152@25V	75000	30(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	表面贴装			活跃	EAR99							unknown	3				Single									N
IRHNJ597230	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	505@12V	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-55 °C	未说明	150 °C	无	IRHNJ597230	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.35	8 A		不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	8	45(Max)@12V	1344@25V	75000	105(Max)	35(Max)	50(Max)	25(Max)		e0	活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	HIGH RELIABILITY	其他晶体管	BOTTOM	无铅	未说明	unknown	3	RH - 100K Rad(Si)	R-CBCC-N3	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING	P-CHANNEL	8 A	0.505 Ω	32 A	200 V	P	75 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W
2N7261JANSR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	185@12V			不合规	EAR99	8541.50.00.80	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	8	50(Max)@12V	1100@25V	25000	40(Max)	32(Max)	40(Max)	25(Max)	-55	150	Military	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔					活跃									3				Single									N				9.22(Max)
2N7269JANSR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	110@12V	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	200	±20	26	170(Max)@12V	4700@25V	150000	140(Max)	140(Max)	140(Max)	33(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3			活跃									3				Single									N